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MT6705C興晶泰5V3.1A電源應(yīng)用方案,同步整流應(yīng)用注意事項(xiàng)
類(lèi)別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-12-04 13:52:43 瀏覽人數(shù):16372

在快充適配器市場(chǎng),5 V 3.1 A 的輸出規(guī)格已成為主流需求。MT6705C 是一顆內(nèi)置 60 V 功率 MOSFET 的同步整流(SR)控制器,專(zhuān)為 5 V 3 A-3.1 A 級(jí)別快充適配器、排插 USB、車(chē)載充電器設(shè)計(jì)。采用 SOP-8 封裝,兼容 DCM/QR/CCM 三種工作模式,最高工作頻率 130 kHz,集成 VCC 自供電、漏源檢測(cè)、智能睡眠,可把次級(jí)整流損耗再降 30 %,輕松滿足 CoC V5 Tier-2 能效。


5 V 3.1 A 應(yīng)用電路(參考)



關(guān)鍵 BOM
  • SR-MOS:60 V/10 mΩ(兼容 5×6 DFN 或 SO-8)
  • VCC 電容:1 μF/25 V X7R,緊靠 5-6 腳
  • 電流檢測(cè):芯片利用 DS 之間 ΔVds,無(wú)需外接分流電阻
  • 輸出電容:470 μF ×2(低 ESR)+ 22 μF 陶瓷,紋波 <80 mV


同步整流“六條軍規(guī)”


PCB 環(huán)路最小化

次級(jí)電流環(huán)(Transformer→SR-MOS→Cout)面積 <1 cm2,降低輻射 10 dB。


DRV 走線短粗

柵極驅(qū)動(dòng) ≤10 mm,線寬 ≥0.3 mm,避免 Gate 振鈴導(dǎo)致誤關(guān)斷。


VCC 去耦 <5 mm

VCC 電容地腳與 7 腳(GND)單點(diǎn)星型連接,防止共模干擾拉高 VCC。


Drain Kelvin 連接

高壓檢測(cè)腳(2 腳)單獨(dú)拉到 MOS 漏極,不與功率線共享銅箔,保證 ΔVds 采樣精度。


智能睡眠閾值

負(fù)載 <60 mA 自動(dòng)進(jìn)入綠色模式;若出現(xiàn)“小載嘯叫”,可把變壓器匝比下調(diào) 1 圈,提高反射電壓 >5 V。


熱設(shè)計(jì)

SOP-8 底部焊盤(pán)必須打 3×3 過(guò)孔到內(nèi)層銅皮,70 ℃ 環(huán)溫下 3.1 A 連續(xù)工作,芯片溫升 <45 ℃。



調(diào)試速查表


現(xiàn)象可能原因快速對(duì)策
空載 5 V 飄高 5.3 V睡眠后 SR 關(guān)閉,次級(jí)只剩體二極管加大假負(fù)載 1 kΩ 或把輔助繞組電壓下調(diào) 0.5 V
滿載 3 A 嘯叫SR 延遲過(guò)長(zhǎng),與原邊錯(cuò)位檢查 DRV 走線電感,并聯(lián) 10 Ω + 1 nF 阻尼
低溫不啟動(dòng)VCC <4 V 觸發(fā) UVLO把 VCC 限流電阻由 100 Ω 降至 47 Ω
傳導(dǎo) 150 kHz 余量不足SR 開(kāi)關(guān)振鈴注入在 Drain-Source 并 100 pF/100 V 陶瓷,犧牲 0.3 %



能效與溫升實(shí)測(cè)


條件:90 VAC-264 VAC,5 V/3.1 A,25 ℃ 自然對(duì)流


項(xiàng)目115 VAC230 VAC
平均效率87.2 %87.9 %
10 % 負(fù)載效率81.5 %82.0 %
PF0.520.51
芯片表面溫升42 ℃38 ℃
輸出紋波68 mV72 mV


總結(jié):一顆 SR 芯片,把 5 V 3 A 做到“三好”


  • 效率高:平均 >87 %,比肖特基方案提升 3-4 %
  • 溫度好:SR-MOS 10 mΩ + 智能睡眠,SOP-8 無(wú)需散熱片
  • EMI 好:次級(jí)無(wú)振鈴尖峰,傳導(dǎo)余量 >6 dB,過(guò)認(rèn)證不頭疼


MT6705C 以其卓越的性能和高度集成的設(shè)計(jì),為 5 V 3.1 A 快充適配器提供了高效、低功耗的同步整流解決方案。它不僅顯著提升了系統(tǒng)效率,降低了溫升,還通過(guò)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)減少了外圍元件數(shù)量,降低了整體成本。深圳三佛科技提供技術(shù)支持,批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~

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