在氮化鎵（GaN）還未全面普及的今天，傳統(tǒng)硅MOSFET方案如何在“小功率快充”里繼續(xù)打性價比牌？大宏成用Hi3245/46/47/48系列給出了答案：準諧振+原邊控制（PSR）+集成650 V功率管，一顆DIP-8芯片就能做出30-75 W恒流/恒壓適配器，待機功耗<75 mW，成本直逼自激振蕩方案，性能卻媲美LLC。下文帶你拆透它的“身體構(gòu)造”。

家族速覽：4個型號，功率階梯覆蓋

注：功率受限于芯片結(jié)溫，Drain腳大面積敷銅即可在50 °C環(huán)境下跑滿表格值。

芯片“X光片”——內(nèi)部框架圖解讀

（內(nèi)部框圖）把整顆芯片拆成5大模塊：

    650 V集成MOSFET

    RDS(on)從1.5 Ω（3245）一路降到0.45 Ω（3248），直接省掉外置功率管+散熱片，EMI還好。

    準諧振（QR）控制器

    谷底開通，降低EMI與開關(guān)損耗；最高90 kHz、最低48 kHz自動調(diào)頻，輕載跳頻， audible noise為零。

    PSR-CVM/PSR-CCM雙環(huán)路

        恒壓：采樣輔助繞組，2 V基準，±4 %精度

        恒流：檢測CS腳+消磁時間Tdem，原邊算法把Tdem/Tsw鎖定在4/7，省掉光耦、431、次級電流檢測電阻。

    智能保護矩陣

    UVLO/OVP/OTP/OCP/SCP/LEB，全部集成，無需外置RC。

    線損補償（CDC）

    FB腳外接分壓電阻，芯片內(nèi)部50 μA可編程電流源按占空比注入，電纜末端電壓降自動補回，USB口空載與滿載電壓差<40 mV。

典型應(yīng)用電路：12 W/5 V、24 W/12 V兩套范例

圖1給出最簡12 W方案，BOM僅19顆元件：

• 變壓器：EE16，Np:Ns:Na = 110:11:20，感量1.8 mH
• Rcs：1.2 Ω，限流500 mV
• FB分壓：R1=3 k、R2=18 k，線補系數(shù)≈4.6 %
• VDD電容：10 μF/50 V，啟動電阻1.5 MΩ，0.3 s極速啟動
• 輸出：5 V/2.4 A，滿載效率>86 %，230 VAC待機功耗68 mW

想把功率拉到24 W？
換EE25變壓器，Rcs降到0.68 Ω，Drain腳銅皮≥25 mm2，3246/3247即可穩(wěn)定跑12 V/2 A。

管腳定義與Layout要點

實測波形——“安靜”又“干凈”

• QR谷底開通：Drain dv/dt≈1 V/ns，EMI傳導(dǎo)余量>6 dB
• 恒流切換：CV→CC過渡<200 mV過沖，滿足USB-PD動態(tài)負載±5 %
• 短路保護：FB<0.5 V持續(xù)36 ms，芯片打嗝，重啟間隔700 ms，溫升<35 K

選型與替代

總結(jié)：一顆DIP-8，把“簡單高效”做到極致