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KP2203LGA/KP2205LGA芯片功能描述,內(nèi)置65k/100kHz開關(guān)頻率振蕩器
類別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時間:2025-10-23 11:56:44 瀏覽人數(shù):10004

PD快充、氮化鎵、多口輸出……當(dāng)適配器功率節(jié)節(jié)攀升時,工程師卻常被三件事折磨:

    寬電壓輸入(90-264 VAC)與USB-C 5-20 V輸出的巨大跨度;
    六級能效對輕載效率與待機功耗(<75 mW)的嚴(yán)苛紅線;
    越來越小的外殼里,元件被“擠”到發(fā)燙,還要過EMI。

KP2203LGA(65 kHz)與KP2205LGA(100 kHz)就是在這種“夾縫”里誕生的電流模式PWM控制器。它把“寬VDD、谷底導(dǎo)通、綠色打嗝、全套保護”做成了一顆6-pin SOT23,讓工程師告別“外圍堆砌”時代。

一眼看懂它——關(guān)鍵特色


  • 超寬VDD:8-70 V,直接由輔助繞組供電,省去LDO和啟動電阻功耗;
  • 雙頻可選:65 kHz(KP2203LGA)/100 kHz(KP2205LGA),兼顧尺寸與效率;
  • 中載谷底導(dǎo)通(QR):降低開關(guān)損耗,平均效率提升1-2 %;
  • 輕載Burst+降頻:22 kHz最低打嗝頻率,無異音,待機<75 mW;
  • 全套保護:OLP、SCP、OVP、UVP、OTP、CS-OVP、LEB、VDD-OVP/鉗位,一個都不少;
  • EMI友好:±4 %頻率抖動+軟驅(qū)動,傳導(dǎo)輻射余量>6 dB;
  • 4 ms軟啟動:抑制開機應(yīng)力,變壓器“零”飽和聲;
  • SOT23-6L:3000顆/盤,兼容貼片機,占板面積僅9 mm2。


管腳圖與定義



  • GND(1):芯片地,兼顧散熱焊盤作用;
  • FB(2):光耦反饋輸入,0.9 V/0.95 V Burst進出閾值;
  • DEM(3):去磁檢測+輸出OVP/UVP+短路保護,三合一;
  • CS(4):原邊電流采樣,0.45 V OCP,外接NTC可做OTP;
  • VDD(5):8-70 V供電,內(nèi)置75 V鉗位,啟動電流<20 μA;
  • GATE(6):圖騰柱輸出,+300 mA/-500 mA,13 V鉗位,軟驅(qū)動斜率可控。


把芯片“拆開”看——內(nèi)部框圖亮點


  1. 雙振蕩器:65 k/100 k主頻+22 k輕載低頻;
  2. 谷底檢測:比較器窗口50 mV/80 mV,鎖定最小漏極振鈴谷底;
  3. 斜率補償:占空比>50 %自動注入,徹底告別次諧波;
  4. 頻率抖動:16 ms周期,±4 %擺幅,EMI峰值能量被“抹平”;
  5. OTP:芯片結(jié)溫145 °C關(guān)斷,115 °C恢復(fù),差值30 °C防“打嗝”。


典型應(yīng)用電路(90-264 VAC→20 V/3.25 A PD)



  • 啟動電阻:2×1 MΩ,0.25 W,待機功耗<15 mW;
  • RCD吸收:100 V以下MOS即可,漏極振鈴<550 V;
  • 變壓器:RM8/EFD25,65 kHz用Φ0.25 mm×60 T,100 kHz可縮1匝;
  • EMI:共模電感+π型濾波,頻率抖動后,QP余量>8 dB。


工作模式“四重奏”


  1. 滿載QR:谷底導(dǎo)通,效率92 %@230 VAC;
  2. 中載降頻:頻率線性下降,保持谷底;
  3. 輕載Burst:FB<0.9 V停開關(guān),>0.95 V恢復(fù),22 kHz最低;
  4. 空載“打瞌睡”:僅0.3 mA VDD電流,輸出紋波<50 mV。


保護功能“全家福”


  • 逐周期OCP:CS 0.45 V,前沿消隱250 ns,防誤導(dǎo)通;
  • OLP:FB>3.6 V持續(xù)75 ms,進入打嗝;
  • SCP:DEM<0.5 V持續(xù)37 ms,判定短路;
  • OVP/UVP:輸出過壓3.6 V×6周期,欠壓0.4 V×37 ms;
  • VDD OVP:75 V關(guān)斷,80 V鉗位;
  • OTP:片內(nèi)145 °C,外置NTC觸發(fā)CS-OVP 0.5 V;
  • LEB:250 ns屏蔽電流尖刺,MOSFET安心開通。



65 kHz or 100 kHz?一張表搞定選型


場景65 kHz KP2203LGA100 kHz KP2205LGA
磁芯尺寸稍大可小一號
效率滿載略高0.3 %中載高1 %
EMI低頻好調(diào)需加強共模
成本變壓器便宜整體BOM低5 %
推薦功率≤33 W≤30 W(小體積)


熱實測——20 V/3.25 A滿載,40 °C風(fēng)道


  • MOS溫度:85 °C(65 kHz)/88 °C(100 kHz);
  • KP220本體:結(jié)溫105 °C,余量40 °C;
  • 效率:230 VAC下92.1 %,滿足CoC V5 Tier 2。


EMI“秘籍”


  1. 頻率抖動已內(nèi)建,傳導(dǎo)峰值降低3-5 dB;
  2. GATE軟驅(qū)動斜率可調(diào),換dv/dt更溫柔;
  3. 輔助繞鋪銅當(dāng)“屏蔽”,DEM采樣走線遠(yuǎn)離高壓;
  4. 屏蔽繞組+Y電容≤220 pF,輻射30 MHz一次性過。


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結(jié)語


KP2203LGA與KP2205LGA用“6只腳”完成了傳統(tǒng)8-10腳芯片才能做到的功能:寬VDD、谷底QR、綠色打嗝、全保護、EMI優(yōu)化。對于18-33 W的PD快充、家電輔助電源、工業(yè)24 V適配器,它們提供了“一步到位”的解決方案——讓65 kHz與100 kHz在掌心跳動,工程師只需安心畫好PCB,剩下的交給KP220XLGA系列即可。

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